電験三種　H21年　理論　問11　問題と解説

問１１

問 11

半導体の記述として、誤っているのは次のうちどれか。

（1）　シリコン(Si) やゲルマニウム(Ge) の真性半導体においては、キャリアの電子と正孔の数は同じである。

（2）　真性半導体に微量のⅢ族又はⅤ族の元素を不純物として加えた半導体を不純物半導体といい、電気伝導度が真性半導体に比べて大きくなる。

（3）　シリコン(Si) やゲルマニウム(Ge) の真性半導体にⅤ族の元素を不純物として微量だけ加えたものをｐ型半導体という。

（4）　ｎ型半導体の少数キャリアは正孔である。

（5）　半導体の電気伝導度は温度が下がると小さくなる。

（1）　真性半導体とは、添加物を混入していない純粋な半導体のことを指します。真性半導体は、電子と正孔の数は同数なので、この記述は正しい。

（2）　この記述は正しい。

（3）　Ⅳ族のシリコン(Si) やゲルマニウム(Ge)に、Ⅴ族の元素を加えると、負の電荷を持つ電子がキャリア（電気の運搬人）になるので、ｎ型半導体になるので、この記述は誤りになる。

（4）　この記述は正しい。

（5）　通常の物質は、温度が下がると電気伝導度（電気抵抗の逆数：σ、つまり、電気の通りやすさのこと）は大きくなるが、半導体の場合は、逆に小さくなる（電気抵抗が大きくなる）。　この記述は正しい。

正解は（３）になります。