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問１１
問 11
半導体の記述として、誤っているのは次のうちどれか。
（1） シリコン(Si) やゲルマニウム(Ge) の真性半導体においては、キャリアの電子と正孔の数は同じである。
（2） 真性半導体に微量のⅢ族又はⅤ族の元素を不純物として加えた半導体を不純物半導体といい、電気伝導度が真性半導体に比べて大きくなる。
（3） シリコン(Si) やゲルマニウム(Ge) の真性半導体にⅤ族の元素を不純物として微量だけ加えたものをｐ型半導体という。
（4） ｎ型半導体の少数キャリアは正孔である。
（5） 半導体の電気伝導度は温度が下がると小さくなる。
＜解答例＞
（1） 真性半導体とは、添加物を混入していない純粋な半導体のことを指します。真性半導体は、電子と正孔の数は同数なので、この記述は正しい。
（2） この記述は正しい。
（3） Ⅳ族のシリコン(Si) やゲルマニウム(Ge)に、Ⅴ族の元素を加えると、負の電荷を持つ電子がキャリア（電気の運搬人）になるので、ｎ型半導体になるので、この記述は誤りになる。
（4） この記述は正しい。
（5） 通常の物質は、温度が下がると電気伝導度（電気抵抗の逆数：σ、つまり、電気の通りやすさのこと）は大きくなるが、半導体の場合は、逆に小さくなる（電気抵抗が大きくなる）。 この記述は正しい。
正解は（３）になります。